磁控溅射法可控制备有序碲纳米线阵列(英文)

张志伟¹，邓元²

1. 中国航空研究院2. 特种功能材料与薄膜技术北京市重点实验室 北京航空航天大学材料学院

摘 要：采用磁控溅射法在较低基底温度下(200℃)制备了有序碲纳米线阵列,并利用X射线衍射、扫描电镜和透射电镜对所制备薄膜进行了相、形貌和微观结构分析。结果表明,所制备的纳米线阵列由单晶碲纳米线组成,单根碲纳米线具有针状形貌,并沿[101]晶向生长,平均直径和长度分别为100 nm和1μm。氩气压力和基底温度均对碲纳米线阵列的形成具有重要影响,以平衡碲原子沿[101]晶向和(101)晶面方向的扩散和生长。提出了碲纳米线阵列的生长机制,包括吸附、结合、成核和生长等过程。

关键词：碲;纳米线阵列;射频磁控溅射;