退火温度和ZnO缓冲层对氨化Ga2O3/ZnO薄膜合成GaN纳米结构的影响
来源期刊：材料科学与工程学报2006年第4期
论文作者：王书运 庄惠照 高海永
关键词：射频磁控溅射; GaN薄膜; ZnO缓冲层; 氨化反应;
摘 要：利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜.分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变.同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响.
王书运1，庄惠照1，高海永1
(1.山东师范大学物理与电子科学学院,山东,济南,250014)
摘要:利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜.分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变.同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响.
关键词:射频磁控溅射; GaN薄膜; ZnO缓冲层; 氨化反应;
【全文内容正在添加中】
