微量SiO2对PI/Al2O3复合薄膜性能的影响
来源期刊：功能材料2014年第13期
论文作者：李园园 刘立柱 翁凌 石慧 金镇镐 王诚
文章页码：13122 - 26255
关键词：聚酰亚胺;纳米Al2O3;纳米SiO2;复合薄膜;耐电晕时间;
摘 要：通过固定纳米氧化铝（Al2O3）的含量,改变纳米氧化硅（SiO2）的含量,制备一系列纳米SiO2含量不同的聚酰亚胺（PI）/Al2O3/SiO2复合薄膜。采用扫描电子显微镜（SEM）和红外光谱（FT-IR）对复合薄膜的微观形貌和分子结构进行表征,结果表明纳米颗粒在PI基体中均匀分散,而且纳米颗粒的加入既不影响PI的分子结构又对聚酰胺酸的热亚胺化无影响。同时测试了薄膜的力学性能、击穿场强和耐电晕时间。结果表明,当纳米SiO2质量分数为0.5%时,复合薄膜的击穿场强和耐电晕时间分别为211.15 kV/mm、378 min,均优于纳米SiO2质量分数分别为0,0.1%,0.3%和0.7%的薄膜,并且其力学性能也较优异。
李园园1，刘立柱1,2，翁凌1，石慧1，金镇镐1，王诚1
1. 哈尔滨理工大学材料科学与工程学院2. 哈尔滨理工大学工程电介质及其应用教育部重点实验室
摘 要：通过固定纳米氧化铝（Al2O3）的含量,改变纳米氧化硅（SiO2）的含量,制备一系列纳米SiO2含量不同的聚酰亚胺（PI）/Al2O3/SiO2复合薄膜。采用扫描电子显微镜（SEM）和红外光谱（FT-IR）对复合薄膜的微观形貌和分子结构进行表征,结果表明纳米颗粒在PI基体中均匀分散,而且纳米颗粒的加入既不影响PI的分子结构又对聚酰胺酸的热亚胺化无影响。同时测试了薄膜的力学性能、击穿场强和耐电晕时间。结果表明,当纳米SiO2质量分数为0.5%时,复合薄膜的击穿场强和耐电晕时间分别为211.15 kV/mm、378 min,均优于纳米SiO2质量分数分别为0,0.1%,0.3%和0.7%的薄膜,并且其力学性能也较优异。
关键词：聚酰亚胺;纳米Al2O3;纳米SiO2;复合薄膜;耐电晕时间;
