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稀土La、Nd掺杂硅基薄膜光致发光特性

来源期刊：功能材料与器件学报2000年第4期

论文作者：徐飞程国安王水凤元美玲曾宇昕

关键词：稀土掺杂; 离子注入; 硅基氧化膜发光; 卢瑟福背散射(RBS); 光致蓝紫发光;

摘要：测量了La、Nd稀土离子注入Si基晶片,在不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定.在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大、随退火条件的不同而改变.并对样品的发光机理作了初步探讨.

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徐飞¹，程国安¹，王水凤²，元美玲²，曾宇昕¹

(1.南昌大学材料科学工程系,南昌,330047;
2.南昌大学物理系,南昌,330047)

摘要:测量了La、Nd稀土离子注入Si基晶片,在不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定.在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大、随退火条件的不同而改变.并对样品的发光机理作了初步探讨.

关键词:稀土掺杂; 离子注入; 硅基氧化膜发光; 卢瑟福背散射(RBS); 光致蓝紫发光;

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