基于共振隧穿结构的压阻系数
来源期刊：功能材料与器件学报2008年第1期
论文作者：李艳 薛晨阳 魏天杰 张文栋
关键词：共振隧穿结构; 压阻系数; I-V曲线; 灵敏度;
摘 要：以共振隧穿结构为压阻器件可以得到较高的灵敏度,但是当实验选择不同的工作偏压时,这种压阻效应表现得极其不同.由于高灵敏度是依靠较高的I-V曲线斜率获得的,因此最初人们希望选择具有较高峰谷比结构作为器件.但是有些区域的斜率过大,以至于压阻效应失去线性及稳定性而变得没有实用价值.另外,在某些工作区域由于共振隧穿结构本身具有的双稳态特性,而使其完全失去压阻特性.本文对这些问题进行了系统分析,并对一个具体的结构,分析其工作区域及特性,给出最高灵敏度可达700左右.
李艳1，薛晨阳1，魏天杰1，张文栋1
(1.中北大学电子测试技术国家重点实验室,太原,030051;
2.中北大学物理系,太原,030051)
摘要:以共振隧穿结构为压阻器件可以得到较高的灵敏度,但是当实验选择不同的工作偏压时,这种压阻效应表现得极其不同.由于高灵敏度是依靠较高的I-V曲线斜率获得的,因此最初人们希望选择具有较高峰谷比结构作为器件.但是有些区域的斜率过大,以至于压阻效应失去线性及稳定性而变得没有实用价值.另外,在某些工作区域由于共振隧穿结构本身具有的双稳态特性,而使其完全失去压阻特性.本文对这些问题进行了系统分析,并对一个具体的结构,分析其工作区域及特性,给出最高灵敏度可达700左右.
关键词:共振隧穿结构; 压阻系数; I-V曲线; 灵敏度;
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