碳化硅-氮化铝复合材料的烧结
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年增刊第1期
论文作者：石晓梅 李江 郭景坤 王静 潘裕柏
关键词：碳化硅; 氮化铝; 烧结; 组成; 界面;
摘 要：采用第二相粒子AlN的添加方法,其中SiC:AlN质量比为85:15(外加0.5ω/%的Y2O3)的组分混合均匀后干燥过筛,并且置于石墨模具中热压制备SiC/AlN复合材料.热压烧结条件为Ar气氛中1950℃,40MPa,保温30min.运用XRD确定SiC与AlN接触面与非接触面的相组成,确认烧结过程为氮化铝发生单向的蒸发行为和固相烧结行为.高温烧结时,SiC/AlN复合材料的烧结过程可视为一种单向的传质即AlN蒸发并且沉积在SiC颗粒表面.然后在扩散传质过程中,AlN向SiC颗粒内部扩散并且在碳化硅晶粒表面形成SiC-AlN固溶体层,阻碍碳化硅晶粒的过分长大,最终使碳化硅-氮化铝二元相成为一种具有结构均匀、晶粒细小的复合材料.
石晓梅1，李江1，郭景坤1，王静1，潘裕柏1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050)
摘要:采用第二相粒子AlN的添加方法,其中SiC:AlN质量比为85:15(外加0.5ω/%的Y2O3)的组分混合均匀后干燥过筛,并且置于石墨模具中热压制备SiC/AlN复合材料.热压烧结条件为Ar气氛中1950℃,40MPa,保温30min.运用XRD确定SiC与AlN接触面与非接触面的相组成,确认烧结过程为氮化铝发生单向的蒸发行为和固相烧结行为.高温烧结时,SiC/AlN复合材料的烧结过程可视为一种单向的传质即AlN蒸发并且沉积在SiC颗粒表面.然后在扩散传质过程中,AlN向SiC颗粒内部扩散并且在碳化硅晶粒表面形成SiC-AlN固溶体层,阻碍碳化硅晶粒的过分长大,最终使碳化硅-氮化铝二元相成为一种具有结构均匀、晶粒细小的复合材料.
关键词:碳化硅; 氮化铝; 烧结; 组成; 界面;
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