磁控溅射Ni-Mn-Ga薄膜的磁致应变
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第2期
论文作者：张羊换 王新林 王国清 陈自新 郭世海 李长生
关键词：Ni-Mn-Ga; 形状记忆合金; 薄膜; 磁致应变;
摘 要：采用直流磁控溅射的方法,在NaCl基底上沉积了Ni-Mn-Ga薄膜,对薄膜进行了形貌观察、微区成分及结构分析,并测量了薄膜的磁致应变.结果表明,薄膜表面可见大小不一的团簇颗粒,具有明显的岛状结构,表明Ni-Mn-Ga薄膜的形成为典型的核生长型机制.热处理前的薄膜具有部分非晶存在,热处理后薄膜晶化为多晶形态.无约束薄膜在磁场下呈现负的磁致应变,在1.3T磁场下,其最大应变值可达-0.008%,并且可以完全恢复.
张羊换1，王新林1，王国清1，陈自新2，郭世海1，李长生2
(1.钢铁研究总院功能材料所,北京,100081;
2.江苏大学机械工程学院,镇江,212013)
摘要:采用直流磁控溅射的方法,在NaCl基底上沉积了Ni-Mn-Ga薄膜,对薄膜进行了形貌观察、微区成分及结构分析,并测量了薄膜的磁致应变.结果表明,薄膜表面可见大小不一的团簇颗粒,具有明显的岛状结构,表明Ni-Mn-Ga薄膜的形成为典型的核生长型机制.热处理前的薄膜具有部分非晶存在,热处理后薄膜晶化为多晶形态.无约束薄膜在磁场下呈现负的磁致应变,在1.3T磁场下,其最大应变值可达-0.008%,并且可以完全恢复.
关键词:Ni-Mn-Ga; 形状记忆合金; 薄膜; 磁致应变;
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