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横向过生长 (LEO)外延 GaN材料及其生长机理

来源期刊：功能材料与器件学报2001年第2期

论文作者：魏茂林李爱珍齐鸣

关键词：外延; 生长机理; GaN;

摘要：由于没有合适的衬底材料与之匹配，使外延生长的 GaN材料缺陷密度很大，从而限制了它的应用。采用 LEO(横向过生长外延 )技术能使缺陷密度降低 3～ 4个数量级，可生长出高质量的 GaN 材料。本文简要介绍了应用 LEO技术生长 GaN材料的现状及对生长机理研究的进展。

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魏茂林¹，李爱珍¹，齐鸣¹

(1.中国科学院上海冶金研究所)

摘要:由于没有合适的衬底材料与之匹配，使外延生长的 GaN材料缺陷密度很大，从而限制了它的应用。采用 LEO(横向过生长外延 )技术能使缺陷密度降低 3～ 4个数量级，可生长出高质量的 GaN 材料。本文简要介绍了应用 LEO技术生长 GaN材料的现状及对生长机理研究的进展。

关键词:外延; 生长机理; GaN;

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