HFCVD法合成金刚石的初期生长过程
来源期刊：兵器材料科学与工程2001年第5期
论文作者：刘正义 邱万奇
关键词：HFCVD; 金刚石; 形核; 生长速率;
摘 要：用XL30FEG扫描电镜对热丝化学气相沉积(HFCVD)法合成的金刚石颗粒的初期生长过程进行了研究.结果表明,金刚石在p-Si(100)基片上的初始形核密度很高,可达1010/cn2;在随后的颗粒长大过程中,颗粒快速长大,颗粒密度急剧减少;颗粒的长大速率随其尺寸的增大而减小,最后趋于一稳定值.
刘正义1，邱万奇1
(1.华南理工大学机电工程系,广州,510640)
摘要:用XL30FEG扫描电镜对热丝化学气相沉积(HFCVD)法合成的金刚石颗粒的初期生长过程进行了研究.结果表明,金刚石在p-Si(100)基片上的初始形核密度很高,可达1010/cn2;在随后的颗粒长大过程中,颗粒快速长大,颗粒密度急剧减少;颗粒的长大速率随其尺寸的增大而减小,最后趋于一稳定值.
关键词:HFCVD; 金刚石; 形核; 生长速率;
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