聚酰亚胺纳米复合薄膜的低温电气强度研究

杨士勇¹，张以河²，李明²，李艳²，肖立业⁴，李元庆²，付绍云²

(1.中科院化学研究所,北京,100080;
2.中国科学院理化技术研究所,北京,100080;
3.中国科学院研究生院,北京,100039;
4.中国科学院电工研究所,北京,100080)

摘要:介绍了在77K的低温条件下复合薄膜电气强度的测试方法,研究了聚酰亚胺/蒙脱土、聚酰亚胺/云母、聚酰亚胺/SiO23个系列的低温电气强度,分析了填料含量等因素对薄膜电气强度的影响.研究结果表明:前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同,均存在最佳填料含量,聚酰亚胺/蒙脱土系列电气强度最佳可达215.77MV/m;而聚酰亚胺/SiO2系列,电气强度比纯PI薄膜略有下降,且含量较高时下降明显,但仍然可以满足应用的要求.

关键词:纳米复合材料; 聚酰亚胺/蒙脱土; 聚酰亚胺/云母; 聚酰亚胺/SiO2; 低温介电强度;

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