磁控反应溅射制备GexC1-x薄膜的结构
来源期刊：材料热处理学报2000年第2期
论文作者：宋建全 耿东生 郑修麟 朱景芝 刘正堂
关键词：GexC1-x薄膜; 磁控反应溅射; 薄膜结构;
摘 要：利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)对制备的薄膜进行了分析.结果表明,GexC1-x薄膜的结构强烈依赖于制备的工艺参数.当沉积温度较低、射频功率不大时,GexC1-x薄膜主要为非晶态结构.随着沉积温度升高、射频功率增大,薄膜中出现Ge微晶相.GexC1-x薄膜中Ge与C发生电荷的转移,形成化学键.
宋建全1，耿东生1，郑修麟1，朱景芝1，刘正堂1
(1.西北工业大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710072)
摘要:利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)对制备的薄膜进行了分析.结果表明,GexC1-x薄膜的结构强烈依赖于制备的工艺参数.当沉积温度较低、射频功率不大时,GexC1-x薄膜主要为非晶态结构.随着沉积温度升高、射频功率增大,薄膜中出现Ge微晶相.GexC1-x薄膜中Ge与C发生电荷的转移,形成化学键.
关键词:GexC1-x薄膜; 磁控反应溅射; 薄膜结构;
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