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氮氧化硅薄膜制备方法的研究

来源期刊：材料科学与工程学报1999年第4期

论文作者：葛曼珍马青松孟祥森杨辉袁骏

关键词：氮氧化硅; 薄膜; 制备; 化学气相沉积; 物理气相沉积; 高温氮化;

摘要：氮氧化硅薄膜综合了SiO2膜和Si3N4膜的优点,具有优秀的光电性能,力学性能和稳定性能,已经在光电领域获得了广泛地应用,此外在材料改性方面也有广阔的应用前景.本文综合评述了几种氮氧化硅薄膜的制备方法,比较了各自的优缺点,并指出了今后制备方法的发展趋势.

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葛曼珍¹，马青松¹，孟祥森¹，杨辉¹，袁骏¹

(1.浙江大学材料系,浙江大学硅材料科学国家重点实验室,浙江·杭州,310027)

摘要:氮氧化硅薄膜综合了SiO2膜和Si3N4膜的优点,具有优秀的光电性能,力学性能和稳定性能,已经在光电领域获得了广泛地应用,此外在材料改性方面也有广阔的应用前景.本文综合评述了几种氮氧化硅薄膜的制备方法,比较了各自的优缺点,并指出了今后制备方法的发展趋势.

关键词:氮氧化硅; 薄膜; 制备; 化学气相沉积; 物理气相沉积; 高温氮化;

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