正偏压对纳米金刚石薄膜结构和电阻率的影响
来源期刊：无机材料学报2007年第2期
论文作者：刘健敏 夏义本 苏青峰 谭寿洪 吴南春 王林军
关键词：纳米金刚石薄膜; 择优取向; 显微形貌; 电阻率;
摘 要：采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺,在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下,沉积了纳米金刚石薄膜.用X射线衍射,场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析.结果表明,施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向,表面形貌发生较大变化.当偏流为8A时,薄膜晶粒达到最小值,约为20nm,薄膜表面也最光滑.本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110)晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系.
刘健敏1，夏义本1，苏青峰1，谭寿洪2，吴南春1，王林军1
(1.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072;
2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050)
摘要:采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺,在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下,沉积了纳米金刚石薄膜.用X射线衍射,场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析.结果表明,施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向,表面形貌发生较大变化.当偏流为8A时,薄膜晶粒达到最小值,约为20nm,薄膜表面也最光滑.本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110)晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系.
关键词:纳米金刚石薄膜; 择优取向; 显微形貌; 电阻率;
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