碳化硅纳米线合成及显微结构分析
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第2期
论文作者：宁晓山 陈克新 钟继东 周和平 任克刚 金海波
关键词：碳化硅; 纳米线; 反应机制; SiC; nanowire; formation mechanism;
摘 要：利用悬浮床,以Si粉为原料,在0.2 L/min的高纯氮气中,维持反应温度1～600 ℃,悬浮反应30 min,在预先放置的收集器上得到了SiC纳米线,XRD结果表明所得SiC纳米线为部分结晶状态,结晶态晶型为六方6H型.SEM形貌观察结果表明,所得SiC为纳米线.进一步SEM观察发现,大量纳米线的端部有球状液滴存在,VLS机制为该纳米线的主要形成机制, 通过EDX能谱对比分析,纳米线端部球状液滴中相对纳米线本身含有较多的氧元素,因此,氧元素对于通过VLS机制形成SiC纳米线起到了促进作用.TEM观察显示,纳米线中存在大量的堆垛层错缺陷.
宁晓山1，陈克新1，钟继东1，周和平1，任克刚1，金海波2
(1.清华大学,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084;
2.北京理工大学,北京,100081)
摘要:利用悬浮床,以Si粉为原料,在0.2 L/min的高纯氮气中,维持反应温度1～600 ℃,悬浮反应30 min,在预先放置的收集器上得到了SiC纳米线,XRD结果表明所得SiC纳米线为部分结晶状态,结晶态晶型为六方6H型.SEM形貌观察结果表明,所得SiC为纳米线.进一步SEM观察发现,大量纳米线的端部有球状液滴存在,VLS机制为该纳米线的主要形成机制, 通过EDX能谱对比分析,纳米线端部球状液滴中相对纳米线本身含有较多的氧元素,因此,氧元素对于通过VLS机制形成SiC纳米线起到了促进作用.TEM观察显示,纳米线中存在大量的堆垛层错缺陷.
关键词:碳化硅; 纳米线; 反应机制; SiC; nanowire; formation mechanism;
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