Nd-Sr-Mn-O钙态矿锰氧化物的低场磁电阻效应
来源期刊：中国稀土学报2003年第1期
论文作者：康琳 张世远 夏洪旭 崔旭高 杨森祖 杨名
关键词：凝聚态物理; 磁电阻效应; 脉冲激光沉淀; 钙钛矿型锰氧化物; 稀土;
摘 要：采用固相烧结法和脉冲激光沉积法分别制备了钙态矿型锰氧化物Nd1-xSrxMnO3(x=0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5)大块多晶和Nd0.7Sr0.3MnO3在(100)LaAlO3 基片上的单取向薄膜样品, 分别研究了这些样品的磁电阻效应.研究表明, 在多晶样品中, x=0.3时具有最大的磁电阻比, 其值在240 K和1 T磁场下可达24.2%.对于同一成分的外延薄膜, 发现磁电阻随着沉积时基片温度Ts的升高而下降, 当Ts=500 ℃时的制备态薄膜在同样条件下的磁电阻可达84%, 随着外加磁场增大到5 T, 磁电阻将线性增大到275%.并讨论了造成单取向膜和块材磁电阻不同的原因.
康琳1，张世远2，夏洪旭2，崔旭高2，杨森祖1，杨名1
(1.南京大学电子科学与工程系,江苏,南京,210093;
2.南京大学固体微结构国家重点实验室物理系,江苏,南京,210093)
摘要:采用固相烧结法和脉冲激光沉积法分别制备了钙态矿型锰氧化物Nd1-xSrxMnO3(x=0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5)大块多晶和Nd0.7Sr0.3MnO3在(100)LaAlO3 基片上的单取向薄膜样品, 分别研究了这些样品的磁电阻效应.研究表明, 在多晶样品中, x=0.3时具有最大的磁电阻比, 其值在240 K和1 T磁场下可达24.2%.对于同一成分的外延薄膜, 发现磁电阻随着沉积时基片温度Ts的升高而下降, 当Ts=500 ℃时的制备态薄膜在同样条件下的磁电阻可达84%, 随着外加磁场增大到5 T, 磁电阻将线性增大到275%.并讨论了造成单取向膜和块材磁电阻不同的原因.
关键词:凝聚态物理; 磁电阻效应; 脉冲激光沉淀; 钙钛矿型锰氧化物; 稀土;
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