氟化物激光晶体Cr:LiSAF的坩埚下降法生长
来源期刊：功能材料2002年第4期
论文作者：范世 夏海平 徐家跃 陈红兵
关键词：激光晶体; Cr : LiSAF; 氟化处理; 晶体生长; 坩埚下降法;
摘 要：报道了氟化物激光晶体Cr:LiSAF的坩埚下降法生长工艺.采用经氟化处理的无水氟化物原料,按照LiF:SrF2:(AlF3+CrF3)=1:1:1的摩尔比配料,控制炉体温度于900～940℃,晶体生长速度为0.4～0.8mm/h,通过密闭条件下的坩埚下降法生长出大尺寸(φ25mm×85mm)的优质完整的Cr:LiSAF单晶.
范世1，夏海平2，徐家跃3，陈红兵2
(1.马岂)(马岂;
2.宁波大学光电子材料研究所,浙江宁波,315211;
3.马岂)
摘要:报道了氟化物激光晶体Cr:LiSAF的坩埚下降法生长工艺.采用经氟化处理的无水氟化物原料,按照LiF:SrF2:(AlF3+CrF3)=1:1:1的摩尔比配料,控制炉体温度于900～940℃,晶体生长速度为0.4～0.8mm/h,通过密闭条件下的坩埚下降法生长出大尺寸(φ25mm×85mm)的优质完整的Cr:LiSAF单晶.
关键词:激光晶体; Cr : LiSAF; 氟化处理; 晶体生长; 坩埚下降法;
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