直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜
来源期刊：无机材料学报2000年第4期
论文作者：罗维根 王世军 仇萍荪 何夕云 丁爱丽
关键词：氧化铱薄膜; 直流磁控反应溅射; 热退火; IrO2 thin film; DC magnetron reactive sputtering; thermal annealing;
摘 要：为研究氧化铱(IrO2)对PZT铁电薄膜疲劳性能的影响，利用直流(DC)磁控反应溅射(sputtering)工艺成功地在SiO2/Si(100)衬底上制得了高度取向的IrO2薄膜. 并在其上制成PZT铁电薄膜. 讨论了溅射参数(溅射功率、Ar/O2比、衬底温度)以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响.
罗维根1，王世军1，仇萍荪1，何夕云1，丁爱丽1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室, 上海 200050)
摘要:为研究氧化铱(IrO2)对PZT铁电薄膜疲劳性能的影响，利用直流(DC)磁控反应溅射(sputtering)工艺成功地在SiO2/Si(100)衬底上制得了高度取向的IrO2薄膜. 并在其上制成PZT铁电薄膜. 讨论了溅射参数(溅射功率、Ar/O2比、衬底温度)以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响.
关键词:氧化铱薄膜; 直流磁控反应溅射; 热退火; IrO2 thin film; DC magnetron reactive sputtering; thermal annealing;
【全文内容正在添加中】
