Zr基块体非晶合金微通道阵列过冷液相区压印工艺
来源期刊：材料科学与工艺2017年第2期
论文作者：程思锐 王春举 单德彬 郭斌
文章页码：10 - 15
关键词：Zr基块体非晶合金;Si模具;微通道阵列;压印;微成形性能;
摘 要：本文利用Zr41Ti14Cu12.5Ni10Be22.5（Vit1）块体非晶合金对不同宽度的微通道阵列进行充填实验,并研究了形腔宽度、压印载荷与温度对微通道阵列充填高度的影响规律.实验结果表明,随着型腔宽度和压印载荷的增加,微通道充填高度逐渐上升.这就意味着较高的载荷和型腔宽度有利于Vit1块体非晶合金在微通道中了流动.成形温度由673 K上升至703 K时,微通道充填高度由9.1μm增加至46.6μm;然而,当实验温度达到713 K时,微通道阵列的充填高度急剧下降至26.9μm.XRD结果显示,在713 K下成形后的试样中存在大量亚稳态的晶化相,非晶基体中的晶化相会增大材料的流动阻力,从而降低其对微通道阵列的充填能力.因此,Vit1合金微通道阵列成形温度区间应控制在673703 K.
程思锐1,2,3，王春举1,2，单德彬1,2，郭斌1,2
1. 哈尔滨工业大学大学材料科学与工程学院2. 金属精密热加工国家级重点实验室(哈尔滨工业大学)3. 中航工业北京航空制造工程研究所
摘 要：本文利用Zr41Ti14Cu12.5Ni10Be22.5（Vit1）块体非晶合金对不同宽度的微通道阵列进行充填实验,并研究了形腔宽度、压印载荷与温度对微通道阵列充填高度的影响规律.实验结果表明,随着型腔宽度和压印载荷的增加,微通道充填高度逐渐上升.这就意味着较高的载荷和型腔宽度有利于Vit1块体非晶合金在微通道中了流动.成形温度由673 K上升至703 K时,微通道充填高度由9.1μm增加至46.6μm;然而,当实验温度达到713 K时,微通道阵列的充填高度急剧下降至26.9μm.XRD结果显示,在713 K下成形后的试样中存在大量亚稳态的晶化相,非晶基体中的晶化相会增大材料的流动阻力,从而降低其对微通道阵列的充填能力.因此,Vit1合金微通道阵列成形温度区间应控制在673703 K.
关键词：Zr基块体非晶合金;Si模具;微通道阵列;压印;微成形性能;
