不同In组分对In_xGa_1-xAs物理性质影响的研究

刘雪飞^1,2，罗子江³，周勋²，王继红¹，魏杰敏^1,4，王一¹，郭祥¹，郎啟智¹，刘万松²，丁召¹

1. 贵州大学大数据与信息工程学院2. 贵州师范大学物理与电子科学学院3. 贵州财经大学信息学院4. 贵州理工学院

摘 要：对InxGa1-xAs在x从0¹变化时的晶格常数、原子弛豫情况、分波态密度进行计算,结果表明当In组分增大时,晶格常数增大规律与Vegard定理吻合。体系弛豫后,Ga—As键长变小程度会随In组分增多而变大,In—As键长变小程度基本不随In组分变化;In—As—In键角会变小,当In组分超过0.625时,其变小程度非常微弱;Ga—As—Ga键角和Ga—As—In键角有不同程度地变大,且Ga—As—In键角的变化幅度在In组分为0.5时最严重;体系分波态密度的计算结果表明,In掺杂会严重影响GaAs材料的物理性质。

关键词：密度泛函;弛豫;电子结构;键角;