氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒
来源期刊：稀有金属材料与工程2006年增刊第1期
论文作者：刘亦安 田德恒 庄惠照 孙莉莉 薛成山 吴玉新 艾玉杰 王福学
关键词：磁控溅射; 氨化; 氮化镓纳米棒; 光致发光;
摘 要：利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.
刘亦安1，田德恒1，庄惠照1，孙莉莉1，薛成山1，吴玉新1，艾玉杰1，王福学1
(1.山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014)
摘要:利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.
关键词:磁控溅射; 氨化; 氮化镓纳米棒; 光致发光;
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