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第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议报导

来源期刊:磁性材料及器件2004年第3期

论文作者:韩志全

摘    要: 2004年5月27~31日由中国物理学会磁学分会和中国电子学会应用磁学分会主办,河北工业大学材料物理与化学学科承办的第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议在天津召开,与会代表136人.会议文集收录论文113篇,其中,A组:薄膜磁电阻材料与自旋电子学45篇,包括隧道磁电阻(TMR)13篇,巨磁电阻(GMR)9篇,磁性半导体6篇,庞磁电阻效应(CMR)和金属氧化物17篇;B组:33篇,包括磁记录材料层间交换耦合9篇,颗粒膜、复合膜及其磁性质11篇,磁致伸缩、金属软磁薄膜及NdFeB薄膜等功能材料13篇;C组:磁性纳米线及纳米颗粒17篇;D组:纳米晶及纳米复合材料18篇.

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第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议报导

韩志全1

(1.西南应用磁学研究所,四川绵阳,621000)

摘要: 2004年5月27~31日由中国物理学会磁学分会和中国电子学会应用磁学分会主办,河北工业大学材料物理与化学学科承办的第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议在天津召开,与会代表136人.会议文集收录论文113篇,其中,A组:薄膜磁电阻材料与自旋电子学45篇,包括隧道磁电阻(TMR)13篇,巨磁电阻(GMR)9篇,磁性半导体6篇,庞磁电阻效应(CMR)和金属氧化物17篇;B组:33篇,包括磁记录材料层间交换耦合9篇,颗粒膜、复合膜及其磁性质11篇,磁致伸缩、金属软磁薄膜及NdFeB薄膜等功能材料13篇;C组:磁性纳米线及纳米颗粒17篇;D组:纳米晶及纳米复合材料18篇.

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