L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究
来源期刊：功能材料2014年第11期
论文作者：曹亚超 李明伟 潘翠连 朱廷霞 尹华伟 程旻
文章页码：11061 - 22135
关键词：ZTS晶体;法向生长速度;动力学;L-丙氨酸;化学侵蚀法;
摘 要：通过对L-丙氨酸掺杂下ZTS（100）、（010）及（001）面法向生长速度的研究发现,各晶面法向生长速度随过饱和度的增加而线性增加;随掺杂浓度的增加,（100）面的法向生长速度先增大后减小,而（010）及（001）面的法向生长速度先减小,接着增大,然后又减小。分析表明（100）面以位错生长机制为主,（010）及（001）面以连续生长机制为主。利用光学显微镜在侵蚀后的（100）面观察到矩形位错蚀坑,蚀坑密度为33308 mm-2;掺杂浓度为1%（摩尔分数）时,蚀坑密度最小。
曹亚超，李明伟，潘翠连，朱廷霞，尹华伟，程旻
重庆大学动力工程学院,低品位能源利用技术及系统教育部重点实验室
摘 要：通过对L-丙氨酸掺杂下ZTS（100）、（010）及（001）面法向生长速度的研究发现,各晶面法向生长速度随过饱和度的增加而线性增加;随掺杂浓度的增加,（100）面的法向生长速度先增大后减小,而（010）及（001）面的法向生长速度先减小,接着增大,然后又减小。分析表明（100）面以位错生长机制为主,（010）及（001）面以连续生长机制为主。利用光学显微镜在侵蚀后的（100）面观察到矩形位错蚀坑,蚀坑密度为33308 mm-2;掺杂浓度为1%（摩尔分数）时,蚀坑密度最小。
关键词：ZTS晶体;法向生长速度;动力学;L-丙氨酸;化学侵蚀法;
