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偏压对MPCVD金刚石薄膜织构生长的影响

来源期刊：材料科学与工艺2000年第2期

论文作者：夏义本许俊芬戴雯琦居建华

关键词：金刚石薄膜; MPCVD; 偏压; 织构生长;

摘要：通过偏压微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD) 成功地在Si(100)上生长出具有[100]织构的金刚石薄膜.阐述了实验过程,讨论了偏压对 [100]织构金刚石薄膜成核与生长条件的影响,偏压有助于成核密度的提高和有利于[100 ]织构生长.采用SEM、Raman光谱等对所得样品进行了表征.

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夏义本¹，许俊芬¹，戴雯琦¹，居建华¹

(1.上海大学,材料科学与工程学院,上海,201800)

摘要:通过偏压微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD) 成功地在Si(100)上生长出具有[100]织构的金刚石薄膜.阐述了实验过程,讨论了偏压对 [100]织构金刚石薄膜成核与生长条件的影响,偏压有助于成核密度的提高和有利于[100 ]织构生长.采用SEM、Raman光谱等对所得样品进行了表征.

关键词:金刚石薄膜; MPCVD; 偏压; 织构生长;

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