退火温度对Cu膜微结构与应力的影响
来源期刊：桂林理工大学学报2009年第3期
论文作者：雒向东 罗崇泰
文章页码：327 - 330
关键词：铜膜;微结构;残余应力;退火;
摘 要：采用磁控溅射工艺在Si基片上沉积500 nm厚Cu膜,并在不同温度下进行快速退火处理。用X射线衍射仪、扫描电镜、光学相移方法研究薄膜的微结构与应力。结果表明:随着退火温度T增加,Cu(111)择优取向系数δCu(111)不断减小,薄膜的Cu(111)/Cu(200)取向组成比值减小;在T=773K条件下退火的薄膜形成了显著的空洞与裂纹;当T在小于673 K范围内增加时,薄膜应力由拉应力不断减小继而转变为压应力,而当T=773 K时,薄膜又呈现出较大的拉应力。
雒向东1,2，罗崇泰1
1. 中国空间技术研究院兰州物理研究所2. 兰州城市学院培黎工程技术学院
摘 要：采用磁控溅射工艺在Si基片上沉积500 nm厚Cu膜,并在不同温度下进行快速退火处理。用X射线衍射仪、扫描电镜、光学相移方法研究薄膜的微结构与应力。结果表明:随着退火温度T增加,Cu(111)择优取向系数δCu(111)不断减小,薄膜的Cu(111)/Cu(200)取向组成比值减小;在T=773K条件下退火的薄膜形成了显著的空洞与裂纹;当T在小于673 K范围内增加时,薄膜应力由拉应力不断减小继而转变为压应力,而当T=773 K时,薄膜又呈现出较大的拉应力。
关键词：铜膜;微结构;残余应力;退火;
