衬底温度对射频磁控溅射制备HfO2薄膜结构的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2008年第5期
论文作者：吕反修 赵云清 吴平 张师平 俞必强 闫丹 邱宏
关键词：射频磁控溅射; HfO2薄膜; 衬底温度; 微观结构;
摘 要：采用射频磁控溅射法在氧氩比为0.2的混合气氛中,分别在室温、100℃、200℃、250℃、300℃、350℃和400℃温度下,在P-Si(100)衬底上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD和AFM研究了衬底温度与薄膜沉积速率对微结构的影响.结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜沉积速率呈减小趋势.室温沉积的HfO2薄膜为非晶态,当衬底温度高于100℃,薄膜出现单斜晶相,随着衬底温度继续增加,(111)择优取向更加明显,晶粒尺寸增大,薄膜表面粗糙度减小.
吕反修1，赵云清2，吴平2，张师平2，俞必强3，闫丹2，邱宏2
(1.北京科技大学材料与工程学院,北京,100083;
2.北京科技大学应用学院物理系,北京,100083;
3.北京科技大学机械学院,北京,100083)
摘要:采用射频磁控溅射法在氧氩比为0.2的混合气氛中,分别在室温、100℃、200℃、250℃、300℃、350℃和400℃温度下,在P-Si(100)衬底上制备了HfO2薄膜,并用SEM、XRD和AFM研究了衬底温度与薄膜沉积速率对微结构的影响.结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜沉积速率呈减小趋势.室温沉积的HfO2薄膜为非晶态,当衬底温度高于100℃,薄膜出现单斜晶相,随着衬底温度继续增加,(111)择优取向更加明显,晶粒尺寸增大,薄膜表面粗糙度减小.
关键词:射频磁控溅射; HfO2薄膜; 衬底温度; 微观结构;
【全文内容正在添加中】
