长柱状β-Si3N4晶粒与SiC晶须在层状Si3N4/BN复合材料中的作用
来源期刊:材料工程2001年第5期
论文作者:李淑琴 黄勇 昝青峰 汪长安 李翠伟
关键词:层状材料; SiC晶须; 长柱状β-Si3N4; 分隔层;
摘 要:用SiC晶须和长柱状β-Si3N4对Si3N4/BN层状材料的基体层和分隔层进行了强化。轧膜工艺对SiC晶须和原料中存在的少量β-Si3N4晶粒有一定的定向作用,而基体层中定向分布的SiC晶须和长柱状的β-Si3N4晶粒对基体层的强韧化作用类似于块体材料,其抗弯强度和断裂韧性的提高幅度都大于50%;分隔层中β-Si3N4的定向度较差,但这有利于形成网状结构,在分隔层中起到骨架的作用,同时还可以增加裂纹的扩展长度,改善分隔层与基体层的界面结合状态。最终得到性能最佳的材料的成分为Si3N4+20wt%SiC晶须(基体层),BN+15vol%β-Si3N4(分隔层),其断裂功可达4820J/m2,抗弯强度仍可保持在650MPa。
李淑琴1,黄勇1,昝青峰1,汪长安1,李翠伟1
(1.清华大学)
摘要:用SiC晶须和长柱状β-Si3N4对Si3N4/BN层状材料的基体层和分隔层进行了强化。轧膜工艺对SiC晶须和原料中存在的少量β-Si3N4晶粒有一定的定向作用,而基体层中定向分布的SiC晶须和长柱状的β-Si3N4晶粒对基体层的强韧化作用类似于块体材料,其抗弯强度和断裂韧性的提高幅度都大于50%;分隔层中β-Si3N4的定向度较差,但这有利于形成网状结构,在分隔层中起到骨架的作用,同时还可以增加裂纹的扩展长度,改善分隔层与基体层的界面结合状态。最终得到性能最佳的材料的成分为Si3N4+20wt%SiC晶须(基体层),BN+15vol%β-Si3N4(分隔层),其断裂功可达4820J/m2,抗弯强度仍可保持在650MPa。
关键词:层状材料; SiC晶须; 长柱状β-Si3N4; 分隔层;
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