强磁场对非线性光学晶体ZnGeP₂生长及性能的影响

来源期刊：上海金属2015年第1期

论文作者：周艳 张礼峰 胡治宁 任维丽 钟云波 任忠鸣

文章页码：33 - 38

关键词：强磁场;ZnGeP2;非线性;晶体生长;

摘    要：按化学计量比并富P2%配料,通过改进的单温区合成法合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料,在无磁场、6 T匀强磁场和上、下梯度磁场条件下,使用坩埚下降法成功生长出ZnGeP2单晶。研究表明,施加6 T匀强磁场和上、下梯度磁场后,ZnGeP2晶体依次沿(116)、(112)和(220)取向,与无磁场下晶体取向不同;ZnGeP2晶体成分沿纵向方向在强磁场中比无磁场中波动明显;红外透过率在匀强和上梯度磁场中均有明显提高,下梯度磁场中变化不明显;电阻率在匀强和上梯度磁场中有所下降,而下梯度磁场中则有所升高。