Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响
来源期刊：功能材料2007年第1期
论文作者：刘财坤 袁庆亮 韦敏 邓宏 李金丽
关键词：AZO薄膜; X射线衍射; AFM; 电阻率;
摘 要：采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究.结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现.薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107 Ω·cm.
刘财坤1，袁庆亮1，韦敏1，邓宏1，李金丽1
(1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054)
摘要:采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究.结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现.薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107 Ω·cm.
关键词:AZO薄膜; X射线衍射; AFM; 电阻率;
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