针尖状SiC纳米线的合成与机理分析

来源期刊：材料科学与工程学报2009年第3期

论文作者：朱奇妙 陈建军 吴仁兵 李宝生 潘颐

文章页码：360 - 364

关键词：碳化硅;纳米线;针尖状;VLS生长机理;

摘    要：采用热蒸发硅的方法,于1650℃反应不同的时间,在聚丙烯腈（PAN）碳纤维上原位生长碳化硅纳米线。通过X射线衍射,场发射扫描电镜及透射电子显微镜分析和观察,发现制得的产物为β-SiC单晶纳米线,具有明显的针尖状头部,且呈放射状生长在碳纤维上,形成试管刷状阵列。基于在反应不同阶段所得到产物的不同形貌,结合对制备条件和制备原料的分析,提出不同于传统VLS机理的VL’S机理。