硅基径向纳米线阵列的制备及其机理研究
来源期刊：材料导报2015年第24期
论文作者：范东华 徐帅 许满钦
文章页码：45 - 48
关键词：金属辅助的化学刻蚀;硅纳米线阵列;生长机理;
摘 要：采用金属辅助化学刻蚀(MACE)的方法在硅衬底上制备出尺寸可控、表面光滑的硅纳米线阵列。利用扫描电子显微镜等检测仪器对所制备的硅纳米线样品进行了表征,研究了附银时间和双氧水浓度等工艺参数对硅纳米线生长的影响。结果表明,在附银时间为60s、双氧水浓度为1.0mol/L条件下,能够得到较为均匀、规则的硅纳米线阵列。此外,探讨了银辅助刻蚀硅纳米线的形成机理。
范东华，徐帅，许满钦
五邑大学应用物理与材料学院
摘 要：采用金属辅助化学刻蚀(MACE)的方法在硅衬底上制备出尺寸可控、表面光滑的硅纳米线阵列。利用扫描电子显微镜等检测仪器对所制备的硅纳米线样品进行了表征,研究了附银时间和双氧水浓度等工艺参数对硅纳米线生长的影响。结果表明,在附银时间为60s、双氧水浓度为1.0mol/L条件下,能够得到较为均匀、规则的硅纳米线阵列。此外,探讨了银辅助刻蚀硅纳米线的形成机理。
关键词：金属辅助的化学刻蚀;硅纳米线阵列;生长机理;
