808nm激光诱导电化学刻蚀研究
来源期刊：桂林理工大学学报2009年第1期
论文作者：龙芋宏 史铁林 熊良才 韦星 植海深 蒙永祥
文章页码：132 - 135
关键词：激光;电化学;刻蚀;硅;不锈钢;
摘 要：为探讨半导体激光电化学刻蚀的工艺特性,采用808 nm半导体激光作为光源,聚焦激光照射浸于溶液中的阳极上,实现激光诱导电化学刻蚀材料。在实验的基础上,通过对金属和半导体材料刻蚀的比较,分析了激光电化学刻蚀硅的工艺特点。实验表明,808 nm激光诱导电化学刻蚀工艺是一个光热刻蚀过程,但不适合刻蚀半导体材料。
龙芋宏1，史铁林2，熊良才2，韦星3，植海深3，蒙永祥3
1. 桂林电子科技大学机电工程学院2. 华中科技大学机械科学与工程学院3. 广西右江矿务局
摘 要：为探讨半导体激光电化学刻蚀的工艺特性,采用808 nm半导体激光作为光源,聚焦激光照射浸于溶液中的阳极上,实现激光诱导电化学刻蚀材料。在实验的基础上,通过对金属和半导体材料刻蚀的比较,分析了激光电化学刻蚀硅的工艺特点。实验表明,808 nm激光诱导电化学刻蚀工艺是一个光热刻蚀过程,但不适合刻蚀半导体材料。
关键词：激光;电化学;刻蚀;硅;不锈钢;
