SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展
来源期刊：工程科学学报2021年第5期
论文作者：赵春阳 王恩会 侯新梅
关键词：SiC;金属氧化物半导体场效应晶体管;Deal-Grove模型;晶面;氧化;
摘 要：SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用.然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性,导致不同晶面上的氧化速率差异较大,这会对半导体器件的性能产生不利影响,因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要.建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段.本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si-C emission model）进行系统研究和比较.在此基础上,分析已有模型的优缺点,提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性,为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路.
赵春阳，王恩会，侯新梅
北京科技大学钢铁共性技术协同创新中心
摘 要：SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用.然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性,导致不同晶面上的氧化速率差异较大,这会对半导体器件的性能产生不利影响,因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要.建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段.本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si-C emission model）进行系统研究和比较.在此基础上,分析已有模型的优缺点,提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性,为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路.
关键词：SiC;金属氧化物半导体场效应晶体管;Deal-Grove模型;晶面;氧化;
