Ti掺杂β-Ga₂O₃电子结构和光学性质的第一性原理计算

来源期刊：材料导报2015年第8期

论文作者：郭艳蕊 严慧羽 宋庆功 陈逸飞 郭松青

文章页码：142 - 294

关键词：第一性原理;Ti掺杂β-Ga2O3;电子结构;光学性质;

摘    要：采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,研究了Ti掺杂β-Ga2O3系统的电子结构和光学性质。计算结果表明,Ti替代八面体的Ga（2）时系统形成能最低,容易在实验上合成;Ti掺杂在导带底附近引入了浅施主能级,极大地提高了β-Ga2O3系统的导电性。Ti掺杂时稳定体系倾向于自旋极化态,且费米面处自旋极化率接近100%。光学性质的计算结果显示,Ti掺杂β-Ga2O3是极具潜力的n型紫外透明的半导体。