MOCVD法生长InGaN合金的受激辐射和波导效应研究

来源期刊：功能材料2010年第S2期

论文作者：王连家 竹有章 王红霞 刘本利

文章页码：272 - 274

关键词：InGaN;PL谱;受激辐射;波导效应;

摘    要：用金属有机气相沉积（MOCVD）方法在c-Al2O3衬底上生长了InGaN三元合金薄膜,重点研究了其光致发光光谱,通过改变光谱仪的接收位置,观察到PL谱之间的差异。为了验证此种现象和激发光功率的相关性,实验中通过改变激发光的强度,从而断定强功率的激发光会引起局域化激子复合发光的受激辐射,从而导致PL谱中伴峰的出现,以及发光峰光强变强。通过实验数据和理论计算数值的分析比较,初步认为薄膜波导对出射光具有的微腔效应,薄膜波导的吸收、反射和透射所造成的波长选择效应是PL谱之间存在差异的原因。