二氧化硅晶面对甲基铝氧烷吸附行为分析

来源期刊：合成材料老化与应用2020年第2期

论文作者：刘文霞 王金道 许有伟

文章页码：40 - 43

关键词：二氧化硅晶体;甲基铝氧烷;态密度;羟基类型;

摘    要：采用Material Studios对二氧化硅形成的三种晶面进行计算,并模拟甲基铝氧烷（MAO）在不同晶面产生的吸附行为。结果表明,当形成不同的晶面时,二氧化硅晶体的带宽变宽,表明频带中电子的有效质量越小,非局域性越大,并且频带的原子轨道扩展越强。MAO在SiO₂（100）面吸附形成的带隙为0.016eV,在Si（110）面吸附形成的带隙为0.086eV,而在SiO₂（111）面形成的带隙为0.180eV,表明MAO在SiO₂（111）面产生的吸附最强。MAO在SiO₂（111）形成的吸附行为与自由羟基形成映衬,而自由羟基的减少是由桥连羟基随机缩合反应导致。