CVDZnS热等静压(HIP)前后光学性能和显微结构的研究
来源期刊：无机材料学报2002年第4期
论文作者：霍承松 宋睿丰 余怀之
关键词：CVDZnS; 热等静压; 光学透过率; X射线衍射;
摘 要：采用红外、紫外光谱仪对热等静压(HIP)处理前后CVDZnS的光学透过率进行了测量,采用分析电子显微镜、金相显微镜和X射线衍射对原生CVDZnS和经热等静压(HIP)处理的CVDZnS的显微组织和晶体结构进行了分析.根据热等静压(HIP)处理前后CVDZnS光学透过率和材料内部显微结构的不同分析了热等静压过程造成CVDZnS光学性能提高的原因.研究表明:热等静压过程使得CVDZnS的晶粒尺寸有了很大提高,并且消除了原生CVDZnS在生长过程中形成的晶体缺陷,从而减小了原生CVDZnS中由于晶格缺陷和晶粒边界造成的散射损失,使得CVDZnS的光学透过率,尤其是在可见光及近红外波段,有了较大的提高.
霍承松1，宋睿丰2，余怀之2
(1.北京国晶辉红外光学科技有限公司,北京,100088;
2.北京有色金属研究总院,北京,100088)
摘要:采用红外、紫外光谱仪对热等静压(HIP)处理前后CVDZnS的光学透过率进行了测量,采用分析电子显微镜、金相显微镜和X射线衍射对原生CVDZnS和经热等静压(HIP)处理的CVDZnS的显微组织和晶体结构进行了分析.根据热等静压(HIP)处理前后CVDZnS光学透过率和材料内部显微结构的不同分析了热等静压过程造成CVDZnS光学性能提高的原因.研究表明:热等静压过程使得CVDZnS的晶粒尺寸有了很大提高,并且消除了原生CVDZnS在生长过程中形成的晶体缺陷,从而减小了原生CVDZnS中由于晶格缺陷和晶粒边界造成的散射损失,使得CVDZnS的光学透过率,尤其是在可见光及近红外波段,有了较大的提高.
关键词:CVDZnS; 热等静压; 光学透过率; X射线衍射;
【全文内容正在添加中】
