溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响
来源期刊：功能材料2009年第11期
论文作者：章平 崔增丽 邵剑波 黄致新 朱宏生 郭继花 杨磊
关键词：射频磁控溅射; GdTbFeCo; 磁光性能; 溅射工艺; RF magnetron sputtering; GdTbFeCo; magneto-optical property; sputtering technology;
摘 要：采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明,基片与靶间距为72mm,溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力为477.6kA/m,克尔角为0.413°.
章平1，崔增丽2，邵剑波2，黄致新2，朱宏生2，郭继花2，杨磊2
(1.郧阳师范高等专科学校,物理系,湖北,丹江口,442700;
2.华中师范大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430079)
摘要:采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明,基片与靶间距为72mm,溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力为477.6kA/m,克尔角为0.413°.
关键词:射频磁控溅射; GdTbFeCo; 磁光性能; 溅射工艺; RF magnetron sputtering; GdTbFeCo; magneto-optical property; sputtering technology;
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