GaAs霍尔开关集成电路的研制
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第1期
论文作者：陈新宇 夏冠群 詹琰 蒋幼泉 李拂晓 冯明 胡少坚
关键词：霍尔效应; 磁传感器; 开关; GaAs; 集成电路;
摘 要：成功地设计并制造出 GaAs MESFET霍尔开关集成电路.该电路采用了方形霍尔元件,绝对 灵敏度为 704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于 SCFL 的 D触发器.结果表明,开关性能良好,工作点合理,达到设计要求.实验结果还表明,霍尔元件 和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路.
陈新宇1，夏冠群2，詹琰2，蒋幼泉1，李拂晓1，冯明2，胡少坚2
(1.南京电子器件研究所,南京,210016;
2.中科院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050)
摘要:成功地设计并制造出 GaAs MESFET霍尔开关集成电路.该电路采用了方形霍尔元件,绝对 灵敏度为 704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于 SCFL 的 D触发器.结果表明,开关性能良好,工作点合理,达到设计要求.实验结果还表明,霍尔元件 和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路.
关键词:霍尔效应; 磁传感器; 开关; GaAs; 集成电路;
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