掺杂SnS薄膜的制备及电学性能
来源期刊：功能材料与器件学报2007年第6期
论文作者：夏义本 史伟民 郭余英 魏光普 邱永华
关键词：硫化锡; 太阳电池; 掺杂; 真空蒸发; 电阻率;
摘 要：硫化锡(SnS)具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度,又无毒性,因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值.本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜,掺杂源有Sb、Sb2O3、Se、Te、In、In2O3、Se和In2O3的混合物.对各种掺杂SnS薄膜的厚度、电流-电压(I-V)特性等进行了表征,并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值(Gphoto/Gdark).结果表明较有效的掺杂源是Sb,Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级,Gphoto/Gdark增加约一倍.同时,研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响,表明Sb的最佳掺入量约为1.3wt%～1.5wt%.
夏义本1，史伟民1，郭余英1，魏光普1，邱永华1
(1.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072)
摘要:硫化锡(SnS)具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度,又无毒性,因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值.本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜,掺杂源有Sb、Sb2O3、Se、Te、In、In2O3、Se和In2O3的混合物.对各种掺杂SnS薄膜的厚度、电流-电压(I-V)特性等进行了表征,并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值(Gphoto/Gdark).结果表明较有效的掺杂源是Sb,Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级,Gphoto/Gdark增加约一倍.同时,研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响,表明Sb的最佳掺入量约为1.3wt%～1.5wt%.
关键词:硫化锡; 太阳电池; 掺杂; 真空蒸发; 电阻率;
【全文内容正在添加中】
