V5+取代对Mg4(SbNb1-xVx)O9陶瓷介电性能的影响
来源期刊：无机材料学报2008年第5期
论文作者：刘鹏 姚国光
关键词：微波介质陶瓷; Mg4(SbNb1-xVx)O9; 介电性能;
摘 要：研究了不同V5+含量Mg4(SbNb1-xVx)O9[MSNV,0.05≤x≤0.3]系陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能.结果表明:一定量V5+取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度.在所有组成范围内,XRD显示了单一刚玉型结构.随V5+针含量的增加,样品的介电常数ε和品质因数Q·f先增大后减小,样品的谐振频率温度系数Tf逐渐减小,这是由于V5+的取代使得B位键价增强所致.在x=0.15,1250℃烧结,可获得εr=9.98,Q·f=20248GHz(8GHz),Tf=-23.3x10-6.K-1的新型微波介质陶瓷.
刘鹏1，姚国光2
(1.陕西师范大学,物理与信息技术学院,西安,710062;
2.西安邮电学院,应用数理系,西安,710121)
摘要:研究了不同V5+含量Mg4(SbNb1-xVx)O9[MSNV,0.05≤x≤0.3]系陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能.结果表明:一定量V5+取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度.在所有组成范围内,XRD显示了单一刚玉型结构.随V5+针含量的增加,样品的介电常数ε和品质因数Q·f先增大后减小,样品的谐振频率温度系数Tf逐渐减小,这是由于V5+的取代使得B位键价增强所致.在x=0.15,1250℃烧结,可获得εr=9.98,Q·f=20248GHz(8GHz),Tf=-23.3x10-6.K-1的新型微波介质陶瓷.
关键词:微波介质陶瓷; Mg4(SbNb1-xVx)O9; 介电性能;
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