非晶硅薄膜晶化方法

来源期刊：材料导报2017年第S2期

论文作者：陶泉丽 陈诺夫 马大燕 王从杰 白一鸣

文章页码：84 - 87

关键词：多晶硅;热退火;金属诱导晶化;激光晶化;

摘    要：多晶硅薄膜由于具有较高的载流子迁移率和良好的光电性能,广泛应用于集成电路及光电器件中,尤其在太阳电池领域引起了广泛关注。多晶材料晶界处会发生载流子的复合,降低载流子寿命。结晶度与晶粒尺寸是多晶硅薄膜取得良好性能的关键因素,直接制备的多晶硅薄膜一般晶粒尺寸较小、晶界较多,所以常采用非晶硅晶化法制备出晶粒尺寸较大的多晶硅薄膜。介绍了几种常见的非晶硅薄膜晶化方法,总结了各种晶化方法的机理和制备的薄膜的物理性质。