砷化镓晶片表面损伤层分析
来源期刊：稀有金属1999年第4期
论文作者：何宏家 惠峰 卜俊鹏 白玉柯 吴让元 郑红军 曹福年
关键词：砷化镓; 切片; 磨片; 抛光片; 表面损伤层;
摘 要：采用TEM观测与X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法,分析了SI-GaAs晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度.比较两种方法测量结果上的差异,得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度,而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤层及其形成应力区的总厚度的结论.
何宏家1，惠峰1，卜俊鹏1，白玉柯1，吴让元1，郑红军1，曹福年1
(1.中国科学院半导体研究所,北京100083)
摘要:采用TEM观测与X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法,分析了SI-GaAs晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度.比较两种方法测量结果上的差异,得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度,而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤层及其形成应力区的总厚度的结论.
关键词:砷化镓; 切片; 磨片; 抛光片; 表面损伤层;
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