用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAsP激光器材料的量子阱混合
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：刘超 韩德俊 李国辉
关键词：量子阱混合; 波长蓝移; InGaAs/InGaAsP; 光致发光谱;
摘 要：为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合,选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm-2的P+离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器结构,在700oC下快速热退火90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm.蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大,并且能量比剂量对蓝移的影响更大.
刘超1，韩德俊1，李国辉1
(1.北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,北京100875)
摘要:为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合,选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm-2的P+离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器结构,在700oC下快速热退火90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm.蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大,并且能量比剂量对蓝移的影响更大.
关键词:量子阱混合; 波长蓝移; InGaAs/InGaAsP; 光致发光谱;
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