聚硅氧烷连接RBSiC陶瓷
来源期刊：稀有金属材料与工程2006年第1期
论文作者：刘洪丽 李树杰 陈志军
关键词：特种连接; 陶瓷连接; 陶瓷先驱体; 聚硅氧烷; 反应烧结碳化硅(RBSiC);
摘 要：采用陶瓷先驱体有机聚合物聚硅氧烷连接反应烧结碳化硅(RBSiC)陶瓷.研究了连接温度、连接压力、保温时间对连接强度的影响.通过正交优选实验,确定了最佳工艺参数:连接温度为1300℃,连接压力为25 kPa,保温时间为120 min.在此工艺条件下制备的连接件经3次浸渍/裂解增强处理,其抗弯强度达132.6 MPa,连接件断口表面粘有大量从母材剥离下来的SiC.XRD研究表明,在1100℃～1400℃的试验范围之内,随着连接温度的逐步升高,聚硅氧烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变.这种转变对连接强度有显著影响.扫描电镜(SEM)及能谱(EDX)分析显示,连接层厚度为3 μm左右,结构较为均匀致密,且与母材间界面结合良好.
刘洪丽1，李树杰1，陈志军2
(1.北京航空航天大学,北京,100083;
2.陕西华兴航空机轮刹车系统有限责任公司第46研究所,陕西,兴平,713106)
摘要:采用陶瓷先驱体有机聚合物聚硅氧烷连接反应烧结碳化硅(RBSiC)陶瓷.研究了连接温度、连接压力、保温时间对连接强度的影响.通过正交优选实验,确定了最佳工艺参数:连接温度为1300℃,连接压力为25 kPa,保温时间为120 min.在此工艺条件下制备的连接件经3次浸渍/裂解增强处理,其抗弯强度达132.6 MPa,连接件断口表面粘有大量从母材剥离下来的SiC.XRD研究表明,在1100℃～1400℃的试验范围之内,随着连接温度的逐步升高,聚硅氧烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变.这种转变对连接强度有显著影响.扫描电镜(SEM)及能谱(EDX)分析显示,连接层厚度为3 μm左右,结构较为均匀致密,且与母材间界面结合良好.
关键词:特种连接; 陶瓷连接; 陶瓷先驱体; 聚硅氧烷; 反应烧结碳化硅(RBSiC);
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