CVD金刚石薄膜的掺硼研究
来源期刊：机械工程材料2002年第1期
论文作者：沈荷生 杨小倩 李荣斌 张志明 何贤昶 胡晓君
关键词：CVD金刚石薄膜; 掺杂; 电学性能;
摘 要：采用固体三氧化二硼,在单晶硅(100)衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行p型掺杂,对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究.结果表明,硼确实已掺入金刚石膜中;在SEM下观察到硼掺杂金刚石膜结构致密没有孔洞;用Ti和Ag分别在掺杂金刚石薄膜表面制备电极,测试了在不同温度下电流随温度的变化.
沈荷生1，杨小倩1，李荣斌1，张志明1，何贤昶1，胡晓君1
(1.上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030)
摘要:采用固体三氧化二硼,在单晶硅(100)衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行p型掺杂,对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究.结果表明,硼确实已掺入金刚石膜中;在SEM下观察到硼掺杂金刚石膜结构致密没有孔洞;用Ti和Ag分别在掺杂金刚石薄膜表面制备电极,测试了在不同温度下电流随温度的变化.
关键词:CVD金刚石薄膜; 掺杂; 电学性能;
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