简介概要

SiC上Ti/Ni/Au多层金属的欧姆接触特性

来源期刊：功能材料与器件学报2006年第6期

论文作者：杨银堂柴常春李跃进贾护军王平

关键词：碳化硅; 欧姆接触; 离子注入; 传输线法;

摘要：采用Ti/Ni/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transmission Line Method,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω·cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定.

详情信息展示

杨银堂¹，柴常春¹，李跃进¹，贾护军¹，王平¹

(1.西安电子科技大学,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071)

摘要:采用Ti/Ni/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transmission Line Method,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω·cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定.

关键词:碳化硅; 欧姆接触; 离子注入; 传输线法;

【全文内容正在添加中】