腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究

来源期刊：功能材料2013年第15期

论文作者：蒋稳 邹宇 伍建春 展长勇 朱敬军 安竹 杨斌 黄宁康

文章页码：2222 - 2226

关键词：中子探测器;电化学刻蚀;多孔硅阵列;形貌;

摘    要：采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨。