铜包覆碳化硅复合粉体材料的制备及表征
来源期刊：材料导报2009年增刊第2期
论文作者：解然 黄炳光 张星和 王茵 廖立 汪玉洁 谢克难
关键词：铜; 碳化硅; 包覆; Cu; SiC; coating;
摘 要：选用平均粒径约为50～100μm的碳化硅颗粒作为基料,以水合联氨为还原剂、氨水为络合剂,利用非均相成核法制备铜包覆碳化硅复合粉体材料,在温度为83℃时得到了分散效果较好的复合粉体,采用XRD、SEM、EDS对复合粉体进行了表征,结果表明,制备的铜微晶粒径为100nm左右,碳化硅颗粒表面的铜包覆层均匀、连续.
解然1，黄炳光1，张星和1，王茵1，廖立1，汪玉洁1，谢克难1
(1.四川大学化学工程学院,成都,610065)
摘要:选用平均粒径约为50～100μm的碳化硅颗粒作为基料,以水合联氨为还原剂、氨水为络合剂,利用非均相成核法制备铜包覆碳化硅复合粉体材料,在温度为83℃时得到了分散效果较好的复合粉体,采用XRD、SEM、EDS对复合粉体进行了表征,结果表明,制备的铜微晶粒径为100nm左右,碳化硅颗粒表面的铜包覆层均匀、连续.
关键词:铜; 碳化硅; 包覆; Cu; SiC; coating;
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