简介概要

PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型

来源期刊：功能材料与器件学报2003年第1期

论文作者：夏冠群伍滨和黄文奎程宗权李志怀

关键词：GaInAsSb; 红外探测器; PSPICE;

摘要：研究了 PIN结构 GaInAsSb 红外探测器的暗电流特性,建立了器件的 PSPICE模型.模拟结果与实际测试结果基本符合.计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反向特性起主要作用 ,当反向偏压大于 0.35V,缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用.

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夏冠群¹，伍滨和¹，黄文奎¹，程宗权¹，李志怀¹

(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050)

摘要:研究了 PIN结构 GaInAsSb 红外探测器的暗电流特性,建立了器件的 PSPICE模型.模拟结果与实际测试结果基本符合.计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反向特性起主要作用 ,当反向偏压大于 0.35V,缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用.

关键词:GaInAsSb; 红外探测器; PSPICE;

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