SiGe超快速软恢复功率开关二极管
来源期刊：功能材料与器件学报2007年第5期
论文作者：余明斌 刘静 高勇 马丽
关键词：SiGe/Si异质结; 功率二极管; 超快速; 软恢复; SiGe/Si heterojunction; power diodes; ultra fast; soft recovery;
摘 要：SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中.实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管.与同结构的传统Si二极管相比,该功率二极管可以获得更短的反向恢复时间,低的正向压降,低的反向峰值电流,较软的恢复特性.30%Ge含量的SiGe二极管反向恢复时间比同结构的Si二极管缩了短四分之三,软度因子接近于1.这些性能的改进无需采用少子寿命控制技术,因而很容易集成于功率集成电路中.
余明斌1，刘静2，高勇2，马丽3
(1.新加坡微电子研究所,新加坡,117685;
2.西安理工大学电子工程系,西安,710048;
3.西安理工大学应用物理系,西安,710048)
摘要:SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中.实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管.与同结构的传统Si二极管相比,该功率二极管可以获得更短的反向恢复时间,低的正向压降,低的反向峰值电流,较软的恢复特性.30%Ge含量的SiGe二极管反向恢复时间比同结构的Si二极管缩了短四分之三,软度因子接近于1.这些性能的改进无需采用少子寿命控制技术,因而很容易集成于功率集成电路中.
关键词:SiGe/Si异质结; 功率二极管; 超快速; 软恢复; SiGe/Si heterojunction; power diodes; ultra fast; soft recovery;
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